数字电路与逻辑设计 - 电路模型

2025年10月31日

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数字电路与逻辑设计 - 电路模型

与或非门

  1. 与门 (AND Gate) image.png

    • 样子像个大写的 “D”
    • 规则“必须都满足”。只有所有输入都是1,输出才是1。
    • 口诀: 全1才1,有0则0。
  2. 或门 (OR Gate) image.png

    • 样子“月牙形”或者说“箭头形”
    • 规则“满足一个就行”。只要有一个输入是1,输出就是1。
    • 口诀: 有1则1,全0才0。
  3. 非门 (NOT Gate / Inverter) image.png

    • 样子“一个三角形带个小圆圈”
    • 规则“唱反调”。输入和输出永远是相反的。
    • 口诀: 0变1,1变0。

由三个门,可以设计一个异或操作: 异或(XOR) 操作:当两个输入不相同时,输出为1;相同时输出为0。


加法电路

半加器

类比于二进制的 1+1=10,我们借此可以列一个真值表:

输入 A输入 B和 (Sum)进位 (Carry)
0000
0110
1010
1101

搭建这个加法电路的完整方案:

这个能计算两个二进制位相加,并得出“和”与“进位”的电路,有一个专门的名字,叫做半加器 (Half Adder)。它是计算机进行算术运算最基础的单元之一。 image.png

半加器只有两个输入 (A 和 B),它处理不了三个输入的情况。 当我们计算 11 + 01 时:

  1. 第一位 (最右边)1 + 1,结果是 0,并产生一个进位 1。这里我们用一个半加器就够了。
  2. 第二位 (左边):现在我们不仅要计算 1 + 0,还必须加上从第一位传来的那个进位 1。所以我们实际上是在计算 1 + 0 + 1。 所以我们需要一个至少可以处理 3 个输入,并且产生 2 个输出的新电路。

全加器

这3个输入叫做 A、B 和 输入进位 (Carry-in)。而2个输出,一个是和 (Sum),另一个是输出进位 (Carry-out),它会传递给下一位的计算。 真值表:

输入 A输入 B输入进位 (Cin)和 (Sum)输出进位 (Cout)
00000
00110
01010
01101
10010
10101
11001
11111

我们可以用两个半加器,合成一个全加器。

  1. 第一步:用一个半加器计算 A + B。它会产生两个输出:
    • Sum1 = A XOR B
    • Carry1 = A AND B
  2. 第二步:用第二个半加器,把第一步的和 Sum1输入进位 (Cin) 相加。它也会产生两个输出:
    • Final_Sum = Sum1 XOR Cin
    • Carry2 = Sum1 AND Cin

Final_Sum 就是最终要的“和”,这部分完全正确。

现在我们剩下两个“进位”信号:Carry1Carry2。但全加器最终只需要一个“输出进位 (Cout)”。 应该如何处理 Carry1Carry2,才能得到最终的 Cout 呢? 其实这个问题就是:

在什么情况下,A + B + Cin 的总进位会是1?

其实只有两种情况:

  1. A和B本身就都是1了 (1+1+...)。这时不管Cin是什么,肯定要进位。这种情况正好由 Carry1 = A AND B 捕捉到了。
  2. A和B只有一个是1 (0+1+...1+0+...),但此时 Cin 也是1。这种情况正好由 Carry2 = (A XOR B) AND Cin 捕捉到了。

最终的输出进位 Cout,只要满足以上两种情况中的任何一种就可以了。在逻辑运算里,表达“任何一个条件满足即可”的门就是 OR 门

所以,Cout = Carry1 OR Carry2,也就是 Cout = (A AND B) OR ((A XOR B) AND Cin)

这样,我们就用两个半加器和一个或门,成功搭建出了一个全加器。


只要我们把这些全加器像串糖葫芦一样串联起来,就可以制作任意位数的加法器了,比如8位、16位,甚至64位。这就是里“迭代电路”思想的精髓。

同一个事实(逻辑关系)可以通过四种方式实现:

  1. 逻辑公式(数学公式): 使用一个⋅B这样的符号。
  2. 真值表(列清单): 列出所有可能的输入组合,看输出是什么。
  3. 门电路图(画图形): 用特定的图标(如半多边形或三角形)代表AND、OR、NOT门。
  4. 波形图(看时间): 表示电信号随时间变化的图表。

CMOS 门和 MOSFET

MOSFET

MOSFET 是现代数字集成电路中感应的开关元件。是数字电路中的一个微型“开关”,用电压来控制这个开关的开与闭。

MOSFET作为基础元件的特性

MOSFET的开关模型

为了简化对数字电路中MOSFET行为的分析,通常采用不同的模型:

(1) 开关(S)模型(Switch Model)
  • 将MOSFET视为理想的、电压控制的开关。
  • 导通(ON): 反馈电压满足条件时,开关关闭,导通电阻拉在​=0。
  • 邻接(OFF): 电感电压不满足条件时,开关断开,电阻断开拉离开​=∞。
(2)开关—电阻(SR)模型(开关电阻模型)
  • 考虑了非理想导通救助。
  • 导通(ON): 开关关闭,通过一个有限的导通电阻连接漏极和源极。开关关闭,通过一个有限的 (R在​)连接漏极和极源。
  • 断开(OFF): 开关断开开关断开,通过很大的本身抵抗或视为断开。 (R离开​)或视为断开。
(3)开关—电流源(SCS)模型(Switch-Current Source Model)
  • 更接近实际的电路行为。
  • 在雨水区(导通后),MOSFET大致可以视为一个电压控制的电流源
  • 动态分析: 用于分析MOSFET在开关过程中,给负载电容充电或放电的电流能力用于分析MOSFET在开关过程中,给负载电容充电或电流的电流能力。

逻辑门的基本结构 (CMOS)

CMOS(互补金属氧化物半导体)是目前最主流的数字电路技术。

CMOS互补结构是数字电路的核心。我们可以用Mermaid图清晰地展示CMOS反相器的结构和原理:

graph LR
    VDD[VDD] --> PMOS(PMOS P1);
    PMOS --> Output(输出 Y);
    NMOS(NMOS N1) --> GND[GND];
    Output --> NMOS;

    Input((输入 A)) --> PMOS;
    Input --> NMOS;

    subgraph 电路功能
        A(A=0) --> |P1导通, N1截止| FuncLow[下拉断开, 上拉连接];
        FuncLow --> OutHigh(Y=VDD/1);

        B(A=1) --> |P1截止, N1导通| FuncHigh[下拉连接, 上拉断开];
        FuncHigh --> OutLow(Y=0);
    end

推挽(Pull-Up & Pull-Down)

CMOS 的核心结构。

特点: PUN 和 PDN 总是互补工作的。当上拉网络工作时(输出 1),下拉网络必须停止工作;反之亦然。这保证了输出永远不会同时连接到VDD​和GN D(避免短路)。

互补结构特点

CMOS = Complementary MOS (互补型MOS)。它的精妙之处在于它同时使用了两种开关:

  • 上为P沟道管(PMOS)、下为N沟道管(NMOS)。
  • 上下网络的结构构成对偶形式(Pull-up Network, PUN & Pull-down Network, PDN)。
    • 上拉网络 (PUN):PMOS组成,负责将输出拉到高水平( )。由组成,负责将产出拉到高水平 (VDD​)。
    • 下拉网络(PDN):NMOS组成,负责将输出拉至低电平(由组成,负责将输出拉至低电平(GND)。
    • 原则: PUN导通时,PDN初次;PDN导通时,PUN初次。(理想情况下,避免短路电流)PUN 导通时,PDN 初次;PDN 导通时,PUN 初次。(理想情况下,避免短路电流)

CMOS的天然特性

正因为CMOS使用了PMOS(负逻辑开)和NMOS(正逻辑开)的组合,所以它传播的逻辑门(如反相器、NAND、NOR)都是反相门

简单来说: 输入的逻辑电压,输出的逻辑往往越低;反之亦然。